①高质量的高折射率差硅基SiOx集成光波导材料基础薄弱。

国外生长硅基SiOx集成光波导材料的方式主要有两种：以欧美为代表的化学气相沉积法（PECVD），以日本、韩国为代表的火焰水解法（FHD）。

PECVD法精度较高，操控性好；FHD法生长速率快，产业化效率更高，二者各有优缺点，而国内缺乏相关应用基础研究；

②芯片工艺水平达不到芯片产业化要求，特别是在整张晶圆的均匀性、稳定性方面，如二氧化硅厚膜的高深宽比和低损耗刻蚀工艺；

③在产业和市场导向上，过去偏重于买，拿市场换技术。

④此前国内研发环节较为薄弱，这就导致相当一部分高端光芯片还需要依赖进口。

⑤需要综合掌握外延、微纳加工、封装、可靠性等多领域技术工艺，并加以整合集成，属于技术密集型行业。